| 主权项 |
1.一种积体电路(IC),包括:一矽基材;一形成于该矽基材上之介电质层;一形成于该介电质层上之终端金属层(TML),该介电质层和终端金属层形成一晶粒活性区;一由该终端金属层形成之第一保护环,该第一保护环围绕晶粒活性区;以及一由该终端金属层形成之第二保护环,该第二保护环围绕第一保护环。2.如申请专利范围第1项之积体电路,其中该第一保护环和第二保护环具有长方形之形状。3.如申请专利范围第1项之积体电路,更包含一第三保护环由终端金属层形成,该第三保护环围绕第二保护环。4.如申请专利范围第1项之积体电路,更包含附着在该第一保护环和第二保护环表面上之钝化层。5.一种晶圆,包括:衆多晶片,各晶片包含一矽基材;一形成于该矽基材上之介电质层;一晶粒活性区;以及一终端金属层(TML),已于其中形成一围绕该晶粒活性区之第三保护环,该终端金属层已经于其中形成由该保护环围绕之衆多能量吸收结构,以吸收晶片从晶圆分离所形成的能量。6.如申请专利范围第5项之晶圆,其中该能量吸收结构被放置于至少接近晶片的一个角。7.如申请专利范围第5项之晶圆,其中该能量吸收结构包含互有间隔之段。8.如申请专利范围第5项之晶圆,其中该能量吸收结构藉由将该终端金属层图案化和蚀刻而形成。9.如申请专利范围第7项之晶圆,其中各段平行于该保护环之侧边。10.如申请专利范围第7项之晶圆,其中各段之宽度大于二相邻段分离之间隔。图式简单说明:第一图显现经由半导体晶圆的横剖面图;第二图a、第二图b和第二图c解释第一图中经由半导体晶圆的横剖面图展现各种不同的钝化层和终端金属层剥离类型;第三图解释经由具有衆多由此形成并由锯开处理分离的电脑晶片之半导体晶圆的横剖面图;第四图解释藉由切割锯开处理形成的晶圆而所形成分离的4个晶片晶粒的上视图;第五图解释如本发明之积体电路较佳具体实施例的上视图;第六图解释如本发明具有闩锁结构之积体电路较佳具体实施例的简化上视图和侧视图;第七图显现如本发明之积体电路经由顶端部分的横剖面图;第八图解释包含4片相邻晶片之部分晶圆的上视图;第九图解释如本发明具有衆多能量吸收结构之积体电路的上视图;第十图解释如本发明具有肘钉结构之积体电路的横剖面图;第十一图解释如本发明具有一保护环和分段肘钉结构之积体电路较佳具体实施例的上视图;第十二图解释如本发明具有三保护环之积体电路较佳具体实施例的上视图。 |
