| 主权项 |
1.一种液体消耗状态之侦测方法,系在液体容器中,将具有第1面及属第1面之背面的第2面之振动板,形成在该振动板之第1面的压电元件,以及该振动板之外周被固定且其内部区域成为振动领域所形成之侦测装置予以形成在预定之位置,以使该振动领域与液体接触,该方法包含有:测量该检测装置残留振动之步骤;依该残留振动之测量结果,侦测收容在液体容器内之液体的消耗状态之步骤。2.如申请专利范围第1项之侦测方法,另外包括作动侦测装置以产生振动的步骤。3.如申请专利范围第1项之侦测方法,其中该残留振动侦测步骤包括有测量残留振动频率之步骤。4.如申请专利范围第1项之侦测方法,其中该残留振动侦测步骤包括有测量侦测装置周围液体之共振频率之步骤。5.如申请专利范围第2项之侦测方法,其中该测量步骤是在作动步骤经过预定时间之后操作。6.如申请专利范围第2项之侦测方法,其中该测量步骤是在侦测装置振动多次之后操作。7.如申请专利范围第1项之侦测方法,其中该测量步骤包括有测量残留振动预定多数个峰部之间时距之步骤。8.如申请专利范围第1项之侦测方法,其中该测量步骤包括有在预定时距之内测量残留振动峰部数目之步骤。9.如申请专利范围第1项之侦测方法,其中该测量步骤包括有依照残留振动测量侦测装置产生之反电动势电压的步骤。10.如申请专利范围第3项之侦测方法,另外包含有下列步骤:测量当液体容器充满液体时,侦测装置之残留振动之先前第一频率値,该频率被认为是一个参考値;测量当液体容器内液体被消耗时,侦测装置之残留振动之第二频率値;比较该参考频率与第二频率値;以及依照比较步骤之结果判断含在液体容器内之液体的消耗状态。11.如申请专利范围第3项之侦测方法,其中该残留振动频率之测量步骤包括有,测量侦测装置中残留振动多数个共振频率模式之步骤。12.如申请专利范围第11项之侦测方法,其中该测量步骤包括有,测量第一及第二共振频率模式,并且确认两共振频率模式为单一图形之步骤。13.一种液体容器,包含:装液体之外壳;形成在该外壳上之液体输送开口;以及形成在该外壳之液体侦测装置,该液体侦测装置系形成为具有第1面,具有属第1面之背面的第2面之振动板,形成在该振动板之第1面的压电元件,以及该振动板的外周被固定且其内部区域设为振动领域,同时该侦测装置可输出依该振动领域之残留振动的侦测信号。14.如申请专利范围第13项之液体容器,其中该侦测装置被作动以产生振动。15.如申请专利范围第13项之液体容器,其中该侦测信号代表侦测装置之残留振动之频率値。16.如申请专利范围第13项之液体容器,其中该侦测信号代表侦测装置周围液体之共振频率。17.如申请专利范围第13项之液体容器,其中该侦测装置至少以一个共振频率模式振动。18.如申请专利范围第13项之液体容器,其中该侦测信号代表侦测装置依照残留振动产生之反电动势电压。19.如申请专利范围第13项之液体容器,其中液体容器是喷墨式印表机之墨水匣。20.一种侦测控制电路,用来侦测含在液体容器内之液体的消耗状态,它包含有:测量电路部,用来测量侦测装置之残留振动;侦测电路部,用来接收从测量电路部来之信号,并且根据测量电路部输出之信号而输出一个指示含在液体容器内之液体的消耗状态。21.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该测量电路部测量侦测装置之残留振动频率。22.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该测量电路部测量侦测装置周围液体至少一个共振频率。23.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该测量电路部依照残留振动测量侦测装置中产生之反电动势电压。24.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该测量电路部包括一个放大器,此放大器包含PNP型电晶体,及与该PNP型电晶体彼此互补连接之NPN型电晶体,并且PNP型电晶体之射极与NPN型电晶体之射极彼此互相连接。25.如申请专利范围第24项之侦测控制电路,其中连接在PNP型电晶体及NPN型电晶体射极与接地之间的一点所产生之驱动电压可被施加到侦测装置。26.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该测量电路部包括一个放大器,该放大器包含P槽场效应电晶体,以及与该P槽场效应电晶体彼此互补连接之N槽场效应电晶体,并且P槽场效应电晶体之源极与N槽场效应电晶体之源极彼此互相连接。27.如申请专利范围第26项之侦测控制电路,其中P槽场效应电晶体与N槽场效应电晶体之源极之间产生之驱动电压可被施加到侦测装置。28.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该侦测电路部包含有计数器用来计算预定时间内残留振动之振动次数,并且该侦测电路部依照计数値判断液体的消耗状态。29.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该侦测电路部包含有计数器用来计算残留振动在预定时距中振动时,此预定时次内之计时次数,此计时次数之周期比残留振动之振动周期短。30.如申请专利范围第28项之侦测控制电路,其中该侦测电路在残留振动发生预定次数之振动后才开始计算残留振动之振动次数。31.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该侦测电路部输出一个信号,表示液体容器是否与测量电路连接。32.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,其中该测量电路部另外包括有多数个放大器与每一个多数个侦测装置连接,以输送驱动电压,并且侦测电路部接收多数个从测量电路部来,而相当于各侦测装置之信号,并且根据测量电路部之每一个输出信号,输出多数个指示含在液体容器内之液体的消耗状态之多数个信号。33.如申请专利范围第20项之侦测控制电路,另外包含有控制电路部,依照侦测电路部之输出信号来控制含在液体容器内之液体消耗之作用。34.如申请专利范围第33项之侦测控制电路,其中该控制电路部包括一个讯息记忆控制电路部,用来读取储存在固定于液体容器内之记忆装置中之液体消耗状态,并且将侦测电路部所侦测之液体消耗状态写入记忆装置中。35.一种电脑可读取记忆媒体,用来储存喷墨式印表机控制电路中装设之程式,以具有装在墨水匣所要位置上之压电元件的侦测装置来侦测含在液体容器内之液体消耗状态,该程式包括的步骤有:测量侦测装置之残留振动;根据测量之残留振动而侦测含在液体容器内之液体的消耗状态。36.如申请专利范围第35项之记忆媒体,另外包括有作动侦测装置以产生振动的步骤。37.如申请专利范围第35项之记忆媒体,其中该残留振动测量步骤包括有测量残留振动频率之步骤。38.如申请专利范围第35项之记忆媒体,其中该残留振动测量步骤包括有测量侦测装置周围液体之共振频率之步骤。39.如申请专利范围第36项之记忆媒体,其中该测量步骤是在从作动步骤经过预定时间周期之后才操作的。40.如申请专利范围第36项之记忆媒体,其中该测量步骤是在侦测装置振动多次之后才进行操作。41.如申请专利范围第36项之记忆媒体,其中该测量步骤包含有一个测量残留振动之预定多数个峰部之间的时间周期之步骤。42.如申请专利范围第35项之记忆媒体,其中该测量步骤包含有一个测量在预定时间周期内残留振动的峰数之步骤。43.如申请专利范围第35项之记忆媒体,其中该测量步骤包含有一个测量依照残留振动由侦测装置产生之反电动势电压的步骤。44.如申请专利范围第37项之记忆媒体,另外包括的步骤有:预先测量当液体容器充满液体时,侦测装置之残留振动之先前第一频率値,此频率被认为是一个参考値;测量侦测装置之残留振动之第二频率値,当液体容器内液体被消耗时;比较参考频率与第二频率値;以及依照比较步骤之结果判断含在液体容器内之液体的消耗状态。图式简单说明:第1A,1B,及1C图显示致动器106之细部;第2A,2B,2C,2D,2E,及2F图显示致动器106之周边及等效电路;第3A及3B图系显示致动器106侦测之墨水共振频率与墨水密度之间的关系。第4图显示墨水匣中墨水残留量与共振频率之主模式及副模式图形结合之间的关系;第5图显示致动器106反电动势之波形;第6图是显示记录装置控制单元2000之构造;第7图显示第6图之记录装置控制单元2002另一实施例之方块图;第8图显示第6图之记录装置控制单元2000另一实施例;第9图显示第8图之记录装置控制单元2004另一实施例;第10图显示记录装置控制单元2006操作程序之流程图;第11图显示测量电路单元800之电路结构;第12图显示侦测控制单元1100之电路结构;第13图显示第12图之液体存在判断单元1000之详细电路结构;第14图显示致动器106之另一实施例;第15图显示第14图之致动器106之局部之横剖面图;第16图显示第14图之整个致动器106之横剖面图;第17图显示第14图之致动器106之制造方法;第18A,18B,及18C图显示本发明另一实施例之墨水匣;第19A,19B及19C图显示穿孔1c之另一实施例;第20图显示另一实施例之致动器660。第21A及21B图显示显示另一实施例之致动器670。第22图显示显示模组100之立视图。第23图为第22图所显示之模组100结构之爆炸图。第24图显示模组100之另一实施例。第25图显示第24图所显示之模组100结构之爆炸图。第26图显示模组100之更另一实施例。第27图为第22图所显示之模组100之实例横剖面,其中模组100装到墨水容器。第28A,28B及28C图显示模组100之更另一实施例。第29图显示使用第1图中之致动器106的墨水匣以及喷墨式记录装置一个实施例。第30图显示喷墨式记录装置之细部;第31A及31B图显示第30图墨水匣180之另一实施例。第32A,32B及32C图显示墨水匣180之更另一实施例。第33A,33B及33C图显示墨水匣180之更另一实施例。第34A,34B及34C图显示墨水匣180之更另一实施例。第35A,35B,及35C图为第34C图所显示墨水匣180之更另一实施例。第36A及36B图显示使用致动器106的墨水匣之更另一实施例。 |
