| 主权项 |
1.一种多晶片覆晶封装结构,系包含有:一基板,系具有一上表面、一下表面及贯穿该上、下表面之通孔;一第一晶片,系具有一主动面及一非主动面,该第一晶片之主动面系形成有复数个第一凸块,并覆晶结合至该基板之上表面;至少一第二晶片,系具有一主动面及一非主动面,该第二晶片之主动面系形成有复数个第二凸块,并覆晶结合至该基板之下表面;一填充材,其系一体形成于该基板之通孔、第一晶片之主动面及基板之上表面之间与第二晶片之主动面及基板之下表面之间,用以包覆第一凸块及第二凸块;及复数个焊球,系结合于该基板之下表面。2.如申请专利范围第1项所述之多晶片覆晶封装结构,其中该第一晶片或第二晶片之非主动面系呈裸露。3.如申请专利范围第1项所述之多晶片覆晶封装结构,其中该第二晶片系为一研磨(lapping)处理之晶片。4.如申请专利范围第1项所述之多晶片覆晶封装结构,其中该些焊球之高度系大于由基板下表面至该第二晶片之非主动面之高度。5.如申请专利范围第1项所述之多晶片覆晶封装结构,其中该第二晶片之尺寸系小于第一晶片之尺寸。6.一种多晶片覆晶封装结构,系包含有:一基板,系具有一上表面、一下表面及贯穿该上、下表面之通孔;一第一晶片,系具有一主动面及一非主动面,该第一晶片之主动面系形成有复数个第一凸块,并覆晶结合至该基板之上表面;至少一第二晶片,系具有一主动面及一非主动面,该第二晶片之主动面系系形成有复数个第二凸块,并覆晶结合至该基板之下表面;及一填充材,其系一体形成于该基板之通孔、第一晶片之主动面及基板之上表面之间与第二晶片之主动面及基板之下表面之间,用以包覆第一凸块及第二凸块。7.如申请专利范围第6项所述之多晶片覆晶封装结构,其中该第一晶片或第二晶片之非主动面系呈裸露。8.如申请专利范围第6项所述之多晶片覆晶封装结构,其中该第二晶片系为与第一晶片尺寸不同之晶片。图式简单说明:第1图:在中国台湾公告第465803号「多晶片堆叠构造」中,以覆晶方式多晶片堆叠构造之截面图;第2图:依本创作之一具体实施例中,一多晶片覆晶封装结构之截面图;及第3图:依本创作之一具体实施例中,一多晶片覆晶封装结构同时对第一晶片与第二晶片填充填充材之截面图。 |
