多阶记忆胞与其制造方法

摘要

一种多阶记忆胞，其系由基底、绝缘层、矽条状物、第一控制闸极、第二控制闸极、源极／汲极区与氧化矽／氮化矽／氧化矽复合介电层所构成。绝缘层与矽条状物依序配置于基底上，另外，第一控制闸极与第二控制闸极系分别设置于矽条状物之侧壁，而源极／汲极区系设置于第一控制闸极与第二控制闸极两侧之矽条状物中。复合介电层系设置于第一控制闸极与矽条状物之间、第二控制闸极与矽条状物之间。由于在单一记忆胞结构中可以储存多位元的资料，因此有助于制程之微小化。