半导体装置及其金属闸极的形成方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其金属闸极的形成方法。其形成方法包含：提供一基底，具有一闸极于其上；形成复数个薄膜，具有位于上述基底与上述闸极上的第一薄膜、与上述第一薄膜旁的第二薄膜；蚀刻上述薄膜以形成复数个相邻的间隔物，具有位于上述基底上且于上述闸极旁的第一间隔物、与位于上述第一间隔物旁的第二间隔物；蚀刻上述第一间隔物；形成一金属层紧邻上述闸极；以及使上述金属层与上述闸极发生反应，以形成一金属闸极。