| 摘要 |
반도체 장치의 제조 품질의 향상과 반도체 장치의 제조 스루풋을 향상시킨다. 기판을 수용하는 처리실; 원료 가스를 상기 기판에 공급하는 원료 가스 공급계; 상기 처리실에 접속된 제1 반응 가스 공급관을 개재하여 반응 가스를 상기 기판에 공급하는 제1 반응 가스 공급계; 일단이 상기 제1 반응 가스 공급관에 접속되고 타단이 상기 제1 반응 가스 공급관과는 다른 위치에서 상기 처리실에 접속된 제2 반응 가스 공급관 및 상기 제2 반응 가스 공급관에 설치되어 상기 반응 가스를 저장하는 가스 저장부를 개재하여 상기 반응 가스를 상기 기판에 공급하는 제2 반응 가스 공급계; 및 상기 원료 가스를 상기 기판에 공급하는 처리와, 상기 제1 반응 가스 공급관 및 상기 제2 반응 가스 공급관의 양방(兩方)을 통하여 동시에 상기 반응 가스를 상기 기판에 공급하는 처리를 수행하도록 상기 원료 가스 공급계, 상기 제1 반응 가스 공급계 및 상기 제2 반응 가스 공급계를 제어하는 제어부;를 포함한다. |
