| 主权项 |
1﹒下式所示化合物之制法:其中,Ar为苯基, 基,或以1至4个C1─C4烷基所取代的苯基 或基;R1为C2─C6烯基,C2─C6环 氧烷基;Y为o或S;包括:令下式之化合物与 式R1─C─Z(其中Z为卤素)之化学剂于惰 性有机溶剂内,在硷存在下,于25℃至150 ℃反应者。 2﹒下式所示化合物之制法:其中 Ar为苯基,或以1至4个C1─C4烷基所取 代的苯基;R1为C2─C6烷氧烷基;Y为O 或S。包括﹒步骤(1):令下式所示化合物与 式R1─CZ之化学剂(其中Z为卤素)在惰性 有机溶剂内,于硷存在下,在25℃至150℃ 反应,和步骤(2):令步骤(1)之生成物与 P2S5,在有机溶剂内,在硷存在下,于10 0℃至150℃反应者。 3﹒如请求专利部份第1项之制法,其中,R1为C 2─C6烯基者。 4﹒如请求专利部份第3项之制法,其中,Ar为2 ,6─二烷苯基,而Y为氧或硫者。 5﹒如请求专利部份第4项之制法,其中,Ar为2 ,6─二甲苯基,R1为2─甲基乙烯基,而Y 为氧者。 6﹒如请求专利部份第4项之制法,其中,Ar为2 ,6─二甲苯基,R1为乙烯基,而Y为氧者。 7﹒如请求专利部份第4项之制法,其中,Ar为2 ,6─二甲苯基,R1为2,2─二甲苯基,而 Y为氧者。 8﹒如请求专利部份第4项之制法,其中,Ar为2 ,6─二甲苯基,R1为乙烯基,而Y为硫者。 9﹒如请求专利部份第4项之制法,其中,Ar为2 ,6─二甲苯基,R1为1,2─环氧丙烷,而 Y为氧者。 10﹒如请求专利部份第2项之制法,其中,Ar为2 ,6─二烷苯基者。 11﹒如请求专利部份第10项之制法,其中,Ar为 2,6─二甲苯基,R1为甲氧甲基,而Y为氧 或硫者。 12﹒如请求专利部份第11项之制法,其中,Y为硫 者。 13﹒下式所示化合物之制法其中,Ar为苯基,基 ,或以1至4个C1─C4烷基所取代的苯基或 基;R1为C3─C6环烷基,Y为O,S或 ─NR─,其中R为C1─C4烷基,惟Ar为 苯基或被取代苯基,而R1为环丙基,化合物 与式R1─C─Z之化学剂(其中Z为卤素), 在惰性溶剂内,于硷存在下,在25℃至150 ℃反应者。 14﹒如请求专利部份第13项之制法,其中,制成之 化合物可以下式代表:其中,Ar为苯基或请求 专利部份第13项所限定之被取代苯基,而R1 意义同请求专利部份第13项所限定者。 15﹒如请求专利部份第14项之制法,其中,制成之 化合物可以下式代表:其中,R1为C3─C6 环烷基,而R4和R5分别为甲基或乙基者。 16﹒如请求专利部份第15项之制法,其中,R1为 环丙基,而R4和R5为甲基者。 17﹒如请求专利部份第13项之制法,其中,制成之 化合物以下式代表:其中,Ar为苯基或请求专 利部份第13项所限定之被取代苯基,而R1意 义同请求专利部份第13项所限定者。 18﹒如请求专利部份第17项之制法,其中,制成之 化合物以下式代表:其中,R1为C4─C6环 烷基,而R4和R5分别为甲基或乙基者。 19﹒如请求专利部份第18项之制法,其中,R1为 环戊基,而R4和R5为甲基者。 20﹒如请求专利部份第13项之制法,其中,制成之 化合物以下式代表:其中,Ar为基或请求 专利部份第13项所限定之被取代基,而R1 及Y意义同请求专利部份第13项所限定者。 21﹒如请求专利部份第14项之制法,其中,制成之 化合物以下式代表:其中,R1如请求专利部份 第13项所限定;R3为C1─C3烷基,而Y 为氧或硫者。 22﹒如请求专利部份第21项之制法,其中,R1为 环丙基,R3为甲基,而Y为氧者。 |
