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<P>PROCEDE DE REALISATION D'UN MONOCRISTAL D'ARSENIURE DE GALLIUM ET D'INDIUM GAINAS, CARACTERISE EN CE QU'IL INCLUT LES ETAPES:</P><P>A)DE TIRAGE PAR LA METHODE CZOCHRALSKI SOUS ENCAPSULATION LIQUIDE A PARTIR D'UN BAIN DANS LEQUEL LES PROPORTIONS MOLAIRES DU GALLIUM GA SONT SUPERIEURES A 50 EN SORTE QUE LE CRISTAL EST A TENDANCE P, ET DANS LEQUEL L'INDIUM, INTRODUIT SOUS FORME D'ARSENIURE D'INDIUM INAS, ENTRE DANS LES PROPORTIONS DEFINIES PAR UN RAPPORT DE LA MASSE D'ARSENIURE D'INDIUM A LA MASSE D'ARSENIURE DE GALLIUM COMPRIS ENTRE 5 ET 10, LA VITESSE DE TIRAGE ETANT INFERIEURE OU EGALE A 15MM A L'HEURE;</P><P>B)DE RECUIT DU MONOCRISTAL OBTENU A UNE TEMPERATURE COMPRISE ENTRE 800C ET 1000C PENDANT UNE DUREE D'AU MOINS 1HEURE.</P><P>LE MONOCRISTAL D'ARSENIURE DE GALLIUM ET D'INDIUM OBTENU EST ALORS CARACTERISE EN CE QUE LA CONCENTRATION X EN INDIUM EST DE L'ORDRE DE 1, LA CONCENTRATION EN DEFAUTS EL2 EST SUPERIEURE A 12.10 PAR CM ET LE MONOCRISTAL EST DE TYPE SEMI-ISOLANT.</P><P>APPLICATION: REALISATION DE SUBSTRATS SEMI-ISOLANTS SANS DISLOCATIONS COMPATIBLES AVEC LES COMPOSES DU GROUPE III-V.</P>
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