存储器及其操作方法

摘要

本发明公开了一种存储器及其操作方法，该存储器是一与非门阵列，操作存储器的方法即操作与非门阵列的方法。与非门阵列包括由存储单元所组成的数个区块。一区块包括数个与非门串行。与非门串行具有位于数的第一串行选择开关及第二串行选择开关之间的通道线。与非门串行共享位于第一串行选择线及第二串行选择线之间的一组字线。于以一选择区块，一通道侧擦除电压透过第一串行选择开关施加于通道线。字线侧擦除电压施加于已选择区块的字线的已选择子集合，以诱发隧穿作用于耦接至已选择子集合的存储单元。字线侧抑制电压施加于已选择区块的字线是未选择子集合，以抑制耦接于未选择集合的隧穿作用。

主权项

一种操作一与非门阵列(NAND array)的方法，该与非门阵列包括由多个存储单元(memory cell)组成的多个区块(block)，其中这些区块的其中之一包括多个与非门串行(NAND string)，这些与非门串行具有介于多个第一串行选择开关(first string select switch)及多个第二串行选择开关(second string select switch)的多个通道线(channel line)，且这些与非门串行共享介于这些第一串行选择开关及这些第二串行选择开关之间的一组字线(word line)，该方法包括：于一已选择区块(selected block)，透过这些第一串行选择开关，施加一通道侧擦除电压(channel‑side erase voltage)至这些通道线；于该已选择区块，施加多个字线侧擦除电压(word line‑side erase voltage)至该组字线的一已选择子集合(selected subset)，以于耦接于该已选择子集合的这些存储单元诱发(induce)隧穿作用(tunneling)，该已选择子集合包括数量大于1的字线；以及于该已选择区块，施加多个字线侧抑制电压(word line‑side inhibit voltage)至该组字线的一未选择子集合(unselected subset)，以于耦接于该未选择子集合的这些存储单元抑制(inhibit)隧穿作用，该未选择子集合包括数量大于1的字线。