半导体器件布局、存储器件布局和制造半导体器件的方法

摘要

一种半导体器件的布局包括有源区域、横跨多个有源区域的栅电极、沿着对应多个栅电极的侧面的间隔件、第一接触件图案化区域、第二接触件图案化区域和接触件区域。第一接触件图案化区域与多个有源区域中的至少一个有源区域、多个栅电极中的至少一个栅电极以及多个间隔件中的至少一个间隔件重叠，至少一个间隔件对应于至少一个栅电极。第二接触件图案化区域与第一接触件图案化区域的一部分重叠。接触件区域与至少一个有源区域重叠。接触件区域的边界通过第一接触件图案化区域、第二接触件图案化区域和至少一个间隔件的边界来限定。本发明还提供了存储器件布局和制造半导体器件的方法。

主权项

一种半导体器件的布局，所述布局存储在非暂时性计算机可读介质上并包括：多个有源区域；多个栅电极，横跨所述多个有源区域；多个间隔件，沿着对应的所述多个栅电极的侧面；第一接触件图案化区域，与所述多个有源区域中的至少一个有源区域重叠，与所述多个栅电极中的至少一个栅电极重叠，并且与所述多个间隔件中的至少一个间隔件重叠，所述至少一个间隔件对应于所述至少一个栅电极；第二接触件图案化区域，与所述第一接触件图案化区域的一部分重叠；以及接触件区域，与所述至少一个有源区域重叠，所述接触件区域的边界通过所述第一接触件图案化区域、所述第二接触件图案化区域和所述至少一个间隔件的边界来限定。