分栅式闪存器件制造方法

摘要

本发明提供一种分栅式闪存器件制造方法，在刻蚀所述第一侧墙材料以暴露出所述侧墙开口底部的浮栅多晶硅层时，保留所述浮栅介质层表面上一定厚度的第一侧墙材料，接着以剩余的第一侧墙材料为掩膜，刻蚀侧墙开口中的浮栅多晶硅层以及浮栅氧化层，进而可以在所述浮栅介质层表面上还保留一定厚度的第一侧墙材料时即可形成第二侧墙，由此可以完全避免成第二侧墙形成时对浮栅介质层侧壁的第一侧墙材料高度的影响，而后去除浮栅介质层上方保留的第一侧墙材料以形成最终的浮栅侧墙，由此可以保证整个器件区域的浮栅侧墙的高度均一性，从而改善闪存器件的编程串扰失效问题。

主权项

一种分栅式闪存器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅多晶层、浮栅介质层；刻蚀所述浮栅介质层直至所述浮栅多晶硅层至一定深度，以形成侧墙开口；在所述侧墙开口表面沉积第一侧墙材料，并刻蚀所述第一侧墙材料以暴露出所述侧墙开口底部的浮栅多晶硅层，同时在所述浮栅介质层表面上保留一定厚度的第一侧墙材料；以剩余的第一侧墙材料为掩膜，继续刻蚀所述侧墙开口底部的浮栅多晶硅层以及浮栅氧化层，直至所述侧墙开口底部暴露出下方的半导体衬底表面；在所述侧墙开口表面沉积第二侧墙材料，并刻蚀所述第二侧墙材料以在浮栅多晶硅层以及浮栅氧化层的内侧壁上形成第二侧墙；去除所述浮栅介质层上方保留的所述第一侧墙材料，以形成浮栅侧墙。