LED芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括衬底，位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，以及与N型半导体层和P型半导体层分别电性连接的N电极和P电极，所述LED芯片包括刻蚀至N型半导体层的N型台面及若干N型电极槽，N型电极槽的侧壁及P型半导体层上方设有横跨N型电极槽的绝缘介质层，所述绝缘介质层上形成有连接N性电极槽底部与N型半导体层电性连接的第一透明导电层，所述N型台面上设有第一N电极，N型电极槽中的第一透明导电层上设有第二N电极，第一N电极和第二N电极通过第一透明导电层电性连接。本发明LED芯片中电流密度分布均匀，提高了LED芯片的发光性能，且有效增大了有源层的面积，提高了芯片的发光效率。

主权项

一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底，位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，以及与N型半导体层和P型半导体层分别电性连接的N电极和P电极，其特征在于，所述LED芯片包括刻蚀至N型半导体层的N型台面及若干N型电极槽，N型电极槽的侧壁及P型半导体层上方设有横跨N型电极槽的绝缘介质层，所述绝缘介质层上形成有连接N性电极槽底部与N型半导体层电性连接的第一透明导电层，所述N型台面上设有第一N电极，N型电极槽中的第一透明导电层上设有第二N电极，第一N电极和第二N电极通过第一透明导电层电性连接。