| 发明名称 | 静态随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种静态随机存取存储器，包含多个静态随机存取存储器单元设于一基底上，其中各静态随机存取存储器单元包含：一栅极结构设于基底上；一第一层间介电层环绕栅极结构；一接触插塞设于第一层间介电层中；一第二层间介电层设于第一层间介电层上；以及一第二接触插塞设于第二层间介电层中并电连接第一接触插塞。 | ||
| 申请公布号 | CN106206586A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510216456.6 | 申请日期 | 2015.04.30 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许智凯;林昭宏;洪裕祥;傅思逸;郑志祥 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种静态随机存取存储器，包含：多个静态随机存取存储器单元，设于一基底上，其中各该静态随机存取存储器单元包含：栅极结构，设于该基底上；第一层间介电层，环绕该栅极结构；第一接触插塞，设于该第一层间介电层中；第二层间介电层，设于该第一层间介电层上；以及第二接触插塞，设于该第二层间介电层中并电连接该第一接触插塞。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||