熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法

摘要

半導体から成る基板４１と、基板４１を下地としてエピタキシャル成長により第１導電型半導体層４３と活性層４４と第２導電型半導体層４５とを順に積層した半導体積層膜４２を有するとともにストライプ状の光導波路４６を活性層４４により形成する発光部５２と、発光部５２に隣接して半導体積層膜４２により形成されるとともに基板４１または第１導電型半導体層４３を底面とする凹部５１を囲む環状の保護壁５３と、凹部５１の底面上に配される第１電極４７と、発光部の上面に配される第２電極４８とを備えた。