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发明名称
半導体装置およびその製造方法
摘要
【課題】反射防止構造を保護できる半導体装置および製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体層15と、複数の第1凸部71と、第1凸部71の高さ以上の高さをもつ第2凸部72とを有し、第1ヤング率をもつ材料を主成分として含む第1光透過層31と、半導体層15と第1光透過層31との間に設けられ、第1ヤング率よりも高い第2ヤング率をもつ材料を主成分として含む第2光透過層32と、を備えている。【選択図】図1
申请公布号
JP2017050329(A)
申请公布日期
2017.03.09
申请号
JP20150170694
申请日期
2015.08.31
申请人
株式会社東芝
发明人
鈴木 良市;伊藤 信一
分类号
H01L33/56;H01L33/50;H01L33/54
主分类号
H01L33/56
代理机构
代理人
主权项
地址
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