ダイボンドシート及び半導体装置の製造方法

摘要

本発明の半導体装置の製造方法は、空孔率が１５〜５０体積％であり、銀又は銅を含み、炭素分が１．５質量％以下である多孔質シートを、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との間に介在させ、これらを加熱加圧することにより半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合することを特徴とする。