发明名称 异质结光电池的处理方法
摘要 本发明公开了一种不存在硼原子或只含有微量硼原子的n型光电池的热处理方法,所述的方法包括以下的步骤:提供一n型异质结(10),包括一晶体硅层(1),其上方和下方为由氢化非晶体硅沉积而成的两层(2,3);加热电池至温度在20℃至200℃之间,例如用一个加热板(20)或一个烤箱(40),同时使用由照射光源(30)提供的一定的光通量的光照射光电池。因此,光电池的效能提高并稳定。
申请公布号 CN103650170B 申请公布日期 2017.05.03
申请号 CN201280031297.7 申请日期 2012.06.25
申请人 原子能与替代能源委员会 发明人 萨穆埃尔·哈里森;皮埃尔-让·里贝隆
分类号 H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0747(2006.01)I 主分类号 H01L31/20(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 吴俊
主权项 一种提高和稳定n型光伏电池效能的处理工艺,所述n型光伏电池含有硼原子,硼原子浓度为0至1×10<sup>16</sup>at/cm<sup>3</sup>之间,所述的处理工艺包括以下的步骤:—提供一个n型异质结光伏电池,包括一个中央晶体硅层,设置在中央晶体硅层上方和/下方的由掺杂或未掺杂的氢化非晶硅构成的钝化层;和—将电池加热至20℃至200℃之间,并加热的处理时间少于48h,同时为光电池提供的光通量高于或等于100W/m<sup>2</sup>。
地址 法国巴黎