IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统

摘要

本发明公开了一种IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统，通过第一电源在IGBT芯片的栅极和发射极之间施加一第一预设电压，使得IGBT芯片内部的沟道产生反型层，反型层将发射极与漂移区连接起来，在测量时，将第二电源提供的第二电压施加在发射极和集电极上，相当于施加在了漂移区和集电极上，进而通过测量集电极和发射极之间的电流达到预设电流时，此时施加在集电极和发射极之间的第二电压即为IGBT芯片背面PN结击穿电压，本发明提供的技术方案不仅保证了测量结果的准确度高，而且测量方法简单易实现。

主权项

一种IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法，应用于IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量系统，其特征在于，所述测量系统包括第一电源和第二电源，其中，所述第一电源的正极连接至所述IGBT芯片的栅极，所述第一电源的负极连接至所述IGBT芯片的发射极，所述第二电源的正极连接至所述IGBT芯片的发射极，所述第二电源的负极连接至所述IGBT芯片的集电极，所述测量方法包括：开启所述第一电源和第二电源，其中，所述第一电源提供第一预设电压，所述第二电源提供可调节的第二电压；测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流，且同时提升所述第二电压，待测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流达到预设电流时，获取当前的所述第二电压为所述IGBT芯片背面PN结击穿电压。