石英基Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种石英基Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，其制备方法为：用纳米金刚石溶液对石英衬底进行超声振荡预处理；采用热丝化学气相沉积法，在经过预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，即制得所述的石英基Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜；本发明简单易行、容易操作，制备得到的具有强Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜与石英基体结合力较弱，为剥离获得具有Si‑V发光的纳米金刚石晶粒奠定了良好的基础，这对于实现纳米金刚石在生物标记、单光子源等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。

主权项

一种石英基Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜，其特征在于，所述石英基Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜按如下方法制备得到：(1)用纳米金刚石溶液对石英衬底进行超声振荡预处理；(2)采用热丝化学气相沉积法，在经过步骤(1)预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，即制得所述的石英基Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。