发明名称 用于电化学器件和光电器件的改进的氧化还原对
摘要 本发明提供用于电化学和光电器件的改进的氧化还原对。氧化还原对是基于第一行过渡金属的络合物,所述络合物包含至少一个单齿配位体、双齿配位体或三齿配位体,所述配位体包括取代的或未被取代的环或环系统,所述环或环系统包括五元含N杂环和/或包括至少两个杂原子的六元环,至少两个杂原子中的至少一个是氮原子,所述五元杂环或六元杂环分别包括至少一个双键。本发明还涉及电解质和包含所述络合物的器件,且涉及所述络合物作为氧化还原对的用途。本发明还提供电化学器件和/或光电器件,所述电化学器件和/或光电器件包括第一电极和第二电极、及在所述第一电极和所述第二电极之间的电荷传输层,所述电荷传输层包括四氰基硼酸盐([B(CN)<sub>4</sub>]<sup>‑</sup>)和起氧化还原对作用的阳离子金属络合物。
申请公布号 CN103492402B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201280020411.6 申请日期 2012.02.24
申请人 洛桑联邦理工学院 发明人 穆罕默德·纳泽鲁丁;迈克尔·格雷泽尔;伊天尼·巴拉诺夫;弗洛里安·凯斯勒;杨俊浩;阿斯瓦尼·耶拉;霍伊·诺克·曹;沙克·穆罕默德·扎科鲁丁
分类号 C07F15/06(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I 主分类号 C07F15/06(2006.01)I
代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人 高瑜;郑霞
主权项 一种电化学和/或光电器件,包括第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的电荷传输层,所述电荷传输层包括基于络合物的氧化还原对,所述基于络合物的氧化还原对以具有作为阴离子的四氰基硼酸根([B(CN)<sub>4</sub>]<sup>‑</sup>)和式I的阳离子金属络合物的四氰基硼酸盐的形式添加:M(La)<sub>n</sub>(Xb)<sub>m</sub>                        (I)其中:M是第一行过渡金属,其选自金属Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn;n是从1到3的整数,且a是由1到n的整数(1、...、n)组成的第一集合的连续数字,使得具有n个配位体L1、...、Ln;m是0或从1到5的整数,且b是由0和1到m的整数(0、...、m)组成的第二集合的连续数字,使得如果m&gt;0,则有m个配位体X1、...、Xm;其中n和m等于存在于金属M上的配位体的适当数量;La独立地选自如下面所示的式(2)、(3)、(64)、(66)和(68)的化合物中的任何一种:<img file="FDA0001132406790000011.GIF" wi="1421" he="543" /><img file="FDA0001132406790000021.GIF" wi="1566" he="1200" /> 其中式(2)、(3)、(64)、(66)和(68)的化合物中的R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>、R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、和R<sub>4</sub>中的任何一个,只要存在,独立地选自H、卤素、‑NO<sub>2</sub>、‑OH、‑NH<sub>2</sub>、包括1至30个碳的烃基,和选自下面式(A‑3)、(A‑5)、(A‑6)、(B‑5)、(B‑6)、(B‑8)、(B‑9)、(B‑10)、(B‑11)、(B‑12)、(B‑13)、(B‑14)、(B‑15)、(B‑17)、(B‑21)、(B‑22)、(B‑24)、(B‑25)、(B‑26)、(B‑27)、(C‑2)、(C‑3)、(C‑4)、(C‑5)、(C‑6)、(C‑7)、(C‑8)、(C‑9)、(C‑10)、(C‑11)、(C‑12)、(C‑13)、(C‑14)、(C‑15)、(C‑16)、(C‑17)、(C‑18)、(C‑19)、(C‑20)、(C‑21)、(C‑24)、(C‑25)、(C‑26)、(C‑27)、(D‑1)、(D‑2)、(D‑3)、(E‑1)、(E‑2)、(E‑3)、(F‑1)、(F‑2)、(F‑3)、(F‑4)、(F‑5)、(F‑6)、(F‑7)、(F‑9)、(F‑10)、(G‑1)、(G‑2)的取代基:<img file="FDA0001132406790000022.GIF" wi="1070" he="415" /><img file="FDA0001132406790000031.GIF" wi="1758" he="2551" /><img file="FDA0001132406790000041.GIF" wi="1685" he="2607" /><img file="FDA0001132406790000051.GIF" wi="1806" he="2671" /><img file="FDA0001132406790000061.GIF" wi="902" he="535" /> 其中虚线代表所述(A‑3)至(G‑2)的取代基连接在相应的式(2)、(3)、(64)、(66)和(68)的化合物上的键;且,式(A‑3)至(G‑2)的取代基R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>,只要存在,独立地选自H、包括1至20个碳的烃基、卤素和‑NO<sub>2</sub>并且式(A‑6)、(B‑5)、(B‑6)、(B‑10)、(C‑2)、(C‑3)、(C‑9)、(C‑12)、(C‑14)、(C‑16)、(D‑1)、(F‑1)、(F‑2)和(F‑7)的取代基R'选自H和选自C1‑C6直链烷基、支链烷基或环状烷基,所述烷基被卤素取代或不被卤素取代;任何Xb(X1、X2、…、Xm)独立地是选自H<sub>2</sub>O、Cl<sup>‑</sup>、Br<sup>‑</sup>、I<sup>‑</sup>、CN<sup>‑</sup>、NCO<sup>‑</sup>、NCS<sup>‑</sup>、NCSe<sup>‑</sup>、NH<sub>3</sub>的共配位体;且,其中n和m等于存在于金属M上的配位体的适当数量。
地址 瑞士洛桑