发明名称 一种氧化亚铜基异质结太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种氧化亚铜基异质结太阳能电池,其为在衬底上自下而上依次有铬金复合电极、氧化亚铜层、ZnO:S缓冲层、ZnO:Al层和铝栅电极。其制备方法是在衬底上制备铬金复合电极,再采用电化学沉积法生长氧化亚铜层,再在氧化亚铜层上依次沉积生长ZnO:S缓冲层和 ZnO:Al层;最后在ZnO:Al层上制作铝栅电极。本发明采用ZnO:S作为缓冲层,可有效阻挡电子和空穴的界面复合,减小PN结反向饱和电流,大大提高载流子的分离和收集效率,增大太阳能电池的开路电压,从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明的太阳电池成本较低、制备工艺简单,可大规模应用于工业生产中,有广阔的应用前景。
申请公布号 CN104993004B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201510295043.1 申请日期 2015.06.02
申请人 浙江大学 发明人 朱丽萍;牛文哲
分类号 H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/072(2012.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 韩介梅
主权项  一种氧化亚铜基异质结太阳能电池的制备方法,所述的太阳能电池是在衬底(1)上自下而上依次有铬金复合电极 (2)、氧化亚铜层(3)、ZnO:S缓冲层(4)、ZnO:Al层(5)和铝栅电极(6),所述的ZnO:S缓冲层(4)厚度为10nm,硫的原子百分比为9%,所述的ZnO:Al层(5)载流子浓度大于10<sup>21</sup> cm<sup>‑3</sup>,方块电阻小于50Ω/□;其特征在于,其制备方法包括如下步骤:1)在洁净的衬底(1)上依次蒸镀铬、金制备铬金复合电极(2);2)在上述铬金复合电极(2)表面采用电化学沉积法生长氧化亚铜层(3),并在铬金复合电极(2)表面预留用于电池测试的面积;3)在上述氧化亚铜层(3)表面依次沉积生长ZnO:S缓冲层(4)和 ZnO:Al层(5);4)在ZnO:Al层(5)表面制作铝栅电极(6),获得氧化亚铜基异质结太阳能电池。
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