图像传感器以及成像装置

摘要

本申请案涉及一种图像传感器以及成像装置。一种成像装置包含半导体衬底，所述半导体衬底具有用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件。所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面。所述成像装置还包含负电荷层和电荷吸收层。所述负电荷层安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞。所述电荷吸收层安置在所述负电荷层附近且经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量。所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。

主权项

一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其包含用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件，其中所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面；负电荷层，其安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞；以及电荷吸收层，其安置在所述负电荷层附近，其中所述电荷吸收层经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量，且其中所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间；其中所述负电荷层包含铪铝氧化物；且其中所述负电荷层包含所述铪铝氧化物中的铝的梯度分布，所述铪铝氧化物包含在所述负电荷层顶侧附近比在所述负电荷层底侧附近高的铝分布，所述底侧比所述顶侧更接近于所述光敏元件。