| 发明名称 | 一种LED外延结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种LED外延结构,所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述发光层及N型半导体之间还设置有用以减少电子逃逸的电子减速层，所述电子减速层包括n层厚度为1至20nm的AlInGaN层堆叠而成。通过在发光层及N型半导体之间设置有用以减少电子逃逸的电子减速层，并且所述电子减速层由n层厚度为1至20nm的AlInGaN层堆叠而成，可有效降低电子的速度。 | ||
| 申请公布号 | CN206098437U | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201620498468.2 | 申请日期 | 2016.05.26 |
| 申请人 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 发明人 | 冯猛;陈立人;刘恒山 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种LED外延结构,其特征在于：所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述发光层及N型半导体之间还设置有用以减少电子逃逸的电子减速层，所述电子减速层由n层厚度为1至20nm的AlInGaN层堆叠而成，其中2≤n≤10。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 | ||