一种连续可变型基片集成波导模拟移相器

摘要

本发明专利涉及微波电路技术，特别涉及一种连续可变型的基片集成波导模拟移相器。包括50Ω特征阻抗微带线、变容二极管、过渡结构、基片集成波导和外围电阻电容电感；输入端为50Ω特征阻抗的微带线，信号再经过渡结构馈到基片集成波导。在SIW中，沿电磁场传播方向开一条槽，此槽线将SIW分为两个部分，包含过渡结构一侧的SIW宽度为W，另一侧宽度为C，过渡结构为凹陷的矩形。将变容二极管和固定容值电容成对垂直于SIW安装在槽线两侧。该移相器的相位变化随调谐电压连续可变，带宽较宽，传输损耗小，反射系数小，移相范围大，方便集成在电路中。

主权项

一种连续可变型的基片集成波导模拟移相器，包括50Ω特征阻抗微带线、变容二极管、过渡结构、基片集成波导SIW和外围电阻电容电感，其特征在于：输入端为50Ω特征阻抗的微带线，信号再经过渡结构馈到基片集成波导；在工作于全模模式的SIW结构中，沿电磁场传播方向开一条槽，槽长与SIW长度相同，宽度s≤1.5mm；此槽线将基片集成波导分为两个部分，包含过渡结构一侧的SIW宽度为W，另一侧宽度为C，过渡结构为凹陷的矩形，其沿电磁场传播方向的长度1/3W≤l_x≤2/3W，另一边长度1/5W≤l_y≤2/3W；将变容二极管和固定容值电容成对垂直于SIW分别安装在槽线两侧，并且两者连线与槽线垂直,每对变容二极管V_CD和固定容值电容C_m的中心距离s＜l_t≤2mm，相邻两对变容二极管和固定容值电容之间的距离5mm≤l_s≤10mm；外围电阻电容电感:变容二极管的正极用焊锡在槽线一侧接地，固定容值电容C_m的一端用焊锡在槽线另一侧接地，变容二极管的负极和C_m的另一端通过焊锡连在一起，而后经过导线分别与扼流电感L_n和限流电阻R_n串联，同时与去耦电容C_n并联接地，其中C_m容值大于变容二极管最大容值100倍。