发明名称 Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche eines Halbleiterbauteils und Elektronikmodul
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche eines Halbleiterbauteils und ein Elektronikmodul. Bei dem Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche eines Halbleiterbauteils, wird zunächst an die Kontaktfläche eine sich in Richtung von der Kontaktfläche weg verjüngende elektrisch leitfähige Schicht gebracht und nachfolgend wird an der Schicht in zumindest einer Erstreckungsrichtung der Kontaktfläche angrenzend Isolationsmaterial gebracht. Das Elektronikmodul ist insbesondere ein Leistungsmodul und umfasst ein Halbleiterbauteil mit einer Kontaktfläche und mit einer Leiterbahn, wobei die Kontaktfläche mittels eines solchen Verfahrens kontaktiert ist.
申请公布号 DE102015218842(A1) 申请公布日期 2017.03.30
申请号 DE201510218842 申请日期 2015.09.30
申请人 Siemens Aktiengesellschaft 发明人 Stegmeier, Stefan;Zapf, Jörg
分类号 H01L21/60;H01L21/58;H01L23/488 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
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