制造具有低导通状态电阻和结构的半导体器件的方法

摘要

本公开涉及制造具有低导通状态电阻和结构的半导体器件的方法。本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体材料切割区域，所述半导体材料切割区域具有第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面。在一个实施例中，所述第二主表面包括凹面部分，所述凹面部分通过在剖视图中从所述半导体材料的区域向外延伸的相对侧壁部分限定。所述侧壁部分具有对所述半导体材料切割区域的外周边缘段进行限定的外表面。有源器件区域被设置成邻接所述第一主表面，并且第一导电层被设置成邻接所述凹面部分。所述凹面部分提供了具有改进电气特性的半导体器件，所述侧壁部分提供了不易受翘曲、断裂以及其他可靠性问题影响的半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体材料切割区域，所述半导体材料切割区域具有第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面，所述第二主表面包括凹面部分，所述凹面部分由在截面图中从所述半导体材料切割区域向外延伸的相对侧壁部分来限定，所述侧壁部分具有对所述半导体材料切割区域的外周边缘段进行限定的外表面，所述侧壁部分还包括与所述外表面相对的内表面；以及有源器件区域，所述有源器件区域被设置成与所述第一主表面相邻。