半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体

摘要

良好な膜質を得る基板処理装置を提供する。解決手段処理室に収容した基板を第１の温度に維持しつつ、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、前記第１の温度より高い第２の温度で加熱した不活性ガスを前記処理室に供給して、前記処理室に残留する前記原料ガスを除去する第１の除去工程と、反応ガスを前記処理室に供給する反応ガス供給工程と、不活性ガスを前記処理室に供給して、前記処理室に残留する前記反応ガスを除去する第２の除去工程と、を行う。