发明名称 |
p型ドープされたシリコン層 |
摘要 |
The invention relates to a process for producing p-doped silicon layers, especially those silicon layers which are produced from liquid silane-containing formulations. The invention further relates to a substrate coated with a p-doped silicon layer. The invention additionally relates to the use of particular dopants based on boron compounds for p-doping of a silicon layer. |
申请公布号 |
JP6099563(B2) |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
JP20130526397 |
申请日期 |
2011.08.19 |
申请人 |
エボニック デグサ ゲーエムベーハーEvonik Degussa GmbH |
发明人 |
シュテファン ヴィーバー;マティアス パッツ;ハラルト シュテューガー;ヤスミン レームクール |
分类号 |
H01L21/208;C01B33/02;H01L21/225;H01L31/068;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/208 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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