高压沟槽结势垒肖特基二极管

摘要

本发明涉及一种肖特基二极管，其具有：n⁺衬底；n外延层；至少两个置入到n外延层中的p参杂沟槽；台面区域，其处于相邻沟槽之间；充当阴极电极的金属层；以及充当阳极电极的另外的金属层。外延层的厚度大于沟槽的深度的四倍。

主权项

一种肖特基二极管，具有:－n⁺衬底(10)，－n外延层(20)，其具有厚度D_epi，－至少两个置入到n外延层(20)中的沟槽(70)，所述沟槽(70)分别具有宽度Wt和深度Dt，－台面区域(80)，其处于相邻的沟槽 (70)之间，其中所述台面区域(80)分别具有宽度Wm，－处于所述肖特基二极管的n⁺衬底(10)背侧(R)的充当阴极电极的金属层(60)，以及－处于所述肖特基二极管的前侧(V)的充当阳极电极的金属层(50)，所述金属层(50)与沟槽(70)形成欧姆接触并且与n外延层(20)形成肖特基接触，其特征在于，－针对沟槽(70)的深度Dt和n外延层(20)的厚度D_epi有下列关系成立：，其中，－针对沟槽(70)的深度Dt与台面区域(80)的宽度Wm的比例有如下关系成立：，－并且有下式成立：，其中NA是沟槽(70)的掺杂浓度，Wt是沟槽(70)的宽度，ND是n外延层(20)的掺杂浓度，并且Wm是两个沟槽(70)之间的台面区域(80)的宽度。