| 摘要 |
【課題】リーク電流を抑制可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第１〜第３半導体領域と、第１〜第３導電部と、を備えた半導体装置が提供される。第２半導体領域は、第１半導体領域と第１方向において離間して設けられている。第３半導体領域は、第１半導体領域と第２半導体領域との間に設けられる。第１導電部は、第１半導体領域と電気的に接続される、第２導電部は、第２半導体領域と電気的に接続される。第３導電部は、第１方向と交差する第２方向において、第３半導体領域と離間する。第３半導体領域は、非晶質の第１部分領域と、多結晶の第２部分領域と、を含む。第１部分領域は、第１金属を含む。第２部分領域は、第２方向において第１部分領域と積層されている。第２部分領域における第１金属の第１濃度は、第１部分領域における第１金属の第２濃度よりも低い、または、第２部分領域は、第１金属を含まない。【選択図】図１ |
