| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bewerten einer Defektregion eines Halbleitersubstrats auf der Grundlage von C-V-Charakteristika einer MOS-Struktur, die auf dem Halbleitersubstrat gebildet wird, umfassend das Bestimmen einer Beziehung zwischen einer Defektregion und einer Flachbandspannung oder festen Ladungsdichte unter Verwendung eines Halbleitersubstrats mit einer bekannten Defektregion unter einer Wärmebehandlungsbedingung und einer C-V-Charakteristikbewertungsbedingung, die mit Bedingungen zum Bewerten einer Defektregion eines zu bewertenden Halbleitersubstrats identisch sind, Bestimmen einer Flachbandspannung oder einer festen Ladungsdichte des zu bewertenden Halbleitersubstrats aus C-V-Charakteristika einer MOS-Struktur, die auf dem zu bewertenden Halbleitersubstrat gebildet wird, und Identifizieren einer Defektregion des zu bewertenden Halbleitersubstrats auf der Grundlage der Beziehung zwischen einer Defektregion und einer Flachbandspannung oder festen Ladungsdichte, die zuvor bestimmt wurde, wodurch die Defektregion des Halbleitersubstrats bewertet wird. Im Ergebnis kann ein Verfahren zum Bewerten einer Defektregion eines Halbleitersubstrats zur Verfügung gestellt werden, mit dem die Defektregion des Halbleitersubstrats selbst bei einer geringen Sauerstoffkonzentration einfach und leicht identifizier werden kann. |
