| 发明名称 | 用于改善阶梯覆盖的通孔结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底、介电结构、阻挡层、胶层、铜晶种层和铜层。介电结构设置在衬底上方。介电结构具有穿过介电结构的导通孔，并且导通孔的侧壁包括至少一个凹口。阻挡层共形地覆盖导通孔的侧壁和底部。胶层共形地覆盖阻挡层。铜晶种层共形地覆盖胶层。铜层覆盖铜晶种层并填充导通孔。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106486421A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610728319.5 | 申请日期 | 2016.08.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 方立言;曹荣志;梁耀祥;林俞谷 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；介电结构，设置在所述衬底上方，所述介电结构具有穿过所述介电结构的导通孔，并且所述导通孔的侧壁包括至少一个凹口；阻挡层，共形地覆盖所述导通孔的侧壁和底部；胶层，共形地覆盖所述阻挡层；铜晶种层，共形地覆盖所述胶层；以及铜层，覆盖所述铜晶种层并且填充所述导通孔。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||