发明名称 光纤级四氯化硅及其制备方法
摘要 本发明公开了一种光纤级四氯化硅及其制备方法。其中,该制备方法包括以下步骤:S1,将粗四氯化硅原料送入第一四氯化硅粗馏塔,低沸物通过塔顶物流管线进行脱除,得到的第一塔釜液输送至第二四氯化硅粗馏塔;S2,第一塔釜液经过第二四氯化硅粗馏塔分离后,塔釜金属杂质通过第二四氯化硅粗馏塔的塔底物流管道进行脱除,塔顶采出初级纯化的四氯化硅;S3,将初级纯化的四氯化硅送入吸附装置,得到次级纯化的四氯化硅;以及S4,将次级纯化的四氯化硅送入第一四氯化硅精馏塔,得到的第二塔釜液输送至第二四氯化硅精馏塔,从第二四氯化硅精馏塔的塔顶采出光纤级四氯化硅。应用本发明的技术方案,产品质量可达到99.9999%以上。
申请公布号 CN106477584A 申请公布日期 2017.03.08
申请号 CN201610880332.2 申请日期 2016.10.09
申请人 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 发明人 郭树虎;赵雄;万烨;姜利霞;章莉;严大洲
分类号 C01B33/107(2006.01)I 主分类号 C01B33/107(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 赵囡囡;金田蕴
主权项 一种光纤级四氯化硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,将粗四氯化硅原料送入第一四氯化硅粗馏塔,低沸物通过塔顶物流管线进行脱除,得到的第一塔釜液输送至第二四氯化硅粗馏塔;S2,所述第一塔釜液经过所述第二四氯化硅粗馏塔分离后,塔釜金属杂质通过所述第二四氯化硅粗馏塔的塔底物流管道进行脱除,塔顶采出初级纯化的四氯化硅;S3,将所述初级纯化的四氯化硅送入吸附装置,去除所述初级纯化的四氯化硅中残留的B、P以及金属杂质,得到次级纯化的四氯化硅;以及S4,将所述次级纯化的四氯化硅送入第一四氯化硅精馏塔,低沸物通过塔顶物流管线进行脱除,得到的第二塔釜液输送至第二四氯化硅精馏塔,从所述第二四氯化硅精馏塔的塔顶采出所述光纤级四氯化硅。
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