发明名称 鳍式场效电晶体基体接触结构
摘要 本发明揭露一鳍式场效电晶体基体接触结构及其制造方法。该基体接触结构包含一半导体鳍板之宽鳍板部分,该宽鳍板部分具一多晶矽多角形于宽鳍板部分的顶部。该多晶矽多角形之区域并不具有多晶矽。鳍式场效电晶体形成于宽鳍板部分的两垂直表面上,而鳍式场效电晶体的闸极与多晶矽多角形连结。宽鳍板部分的顶面及多晶矽多角形经过矽化处理。矽化桥接被侧壁间隙物防止。所有多晶矽多角形的凸起角度均不尖锐以防止桥接顶点的生成。该区域被加入与来自一相关鳍式场效电晶体的源极与汲极之相反型态的掺杂剂。
申请公布号 TW200618313 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094135869 申请日期 2005.10.14
申请人 万国商业机器公司 发明人 理查 李 唐斯;卡尔 罗伯特 艾瑞克森;威廉 保罗 哈维斯;泰瑞斯 韦恩 库柏;约翰 爱德华 席特斯二世;琼 罗伯特 泰洛费
分类号 H01L29/786;H01L21/768;H01L21/336 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国