| 摘要 |
【課題】フラッシュメモリを備えた半導体装置の消去特性のさらなる改善を図る。【解決手段】半導体基板ＳＵＢでは、素子分離領域によってフラッシュメモリセルが形成されるメモリセル領域が規定されている。フラッシュメモリセルのフローティングゲート電極ＦＧは、制御ゲート電極ＣＧの直下に位置する部分から裾野を引く態様で消去ゲート電極ＥＧに向かって突出する突出部ＦＧＰを備えている。突出部ＦＧＰは、厚さＴＨＴに相当する高さの端面ＦＧＥと、その端面ＦＧＥに繋がる傾斜面ＣＳとを備えている。その突出部ＦＧＰが、トンネル酸化膜ＴＦを介在させて消去ゲート電極ＥＧと対向している。【選択図】図３ |
