| 摘要 |
閾値電圧を効果的に向上できる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。炭化珪素基板１上に形成された第１導電型のドリフト層２と、ドリフト層２の表層部に、互いに間隔をあけて形成された複数の第２導電型のウェル領域３と、ウェル領域３の表層部の一部に形成された第１導電型のソース領域４と、ウェル領域３とソース領域４の表面の一部に形成されたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５の表面に、ソース領域４の端部とウェル領域３とに対向するように形成されたゲート電極６と、を備える。さらに、ゲート絶縁膜５は、ウェル領域３との界面領域において、炭化珪素の導電帯端より深いエネルギー準位をもつ第１のトラップを形成し、珪素と水素の結合を含む欠陥１０を有する。 |
