| 发明名称 |
トランザクション基盤のハイブリッドメモリモジュール、及びそれを動作させる方法 |
| 摘要 |
【課題】改善された性能を有するトランザクション基盤ハイブリッドメモリモジュールを提供する。【解決手段】ハイブリッドメモリモジュールはダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）キャッシュ、フラッシュストレージ、及びメインコントローラを含む。前記ＤＲＡＭキャッシュは１つ以上のＤＲＡＭ装置とＤＲＡＭコントローラとを含み、前記フラッシュストレージは１つ以上のフラッシュ装置とフラッシュコントローラとを含む。前記メインコントローラは前記ＤＲＡＭコントローラ及び前記フラッシュコントローラとインターフェイシングする。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017045457(A) |
申请公布日期 |
2017.03.02 |
| 申请号 |
JP20160162674 |
申请日期 |
2016.08.23 |
| 申请人 |
三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． |
发明人 |
張， 牧 天;ズン， 宏 忠;牛， ディ 民 |
| 分类号 |
G06F12/08;G06F3/06;G06F3/08;G06F12/0868 |
主分类号 |
G06F12/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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