半導体装置

摘要

本発明は、組み立て性の向上および小型化が可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置１は、Ｓｉ基板１３に形成されたＩＧＢＴと、Ｓｉ基板１３に形成された温度センスダイオード２と、Ｓｉ基板１３上に配設されたＩＧＢＴのエミッタ電極パッド６と、Ｓｉ基板１３上に配設され、温度センスダイオード２のカソード電極パッド３とエミッタ電極パッド６とを電気的に接続するカソード・エミッタ接続用配線１９とを備える。