| 摘要 |
放射線検出器（１２）は、共通層上に配置された一対の隣接するメサ（２２、２４）を有し、共通層は、第１の導電型と第１のスペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップとを持つ第１の半導体層（１６）を有し、メサの各々が、第２の半導体層（１８）と、第２の半導体層上に配置され、第１の導電型と第２のスペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップとを持つ第３の半導体層（２０）とを有する。第２の半導体層は、第１導電型とは逆の導電型を持つことができ、あるいは、これら３つの層がｎＢｎ又はｐＢｐ構造を提供してもよい。第２のメサの第３の半導体層は、第２のスペクトル領域内の放射線に応答して、不所望のキャリアとして、第１のメサに向かって共通層に流れる少数キャリアを生み出す。共通層内にバリア領域が配設される。 |
