发明名称 |
磁阻屏蔽体 |
摘要 |
一种能够增强磁性读取的磁屏蔽体。根据各实施例,磁性元件具有磁性响应性叠层,该叠层被至少一个横向侧屏蔽体屏蔽免受磁通量并被偏磁到预先确定的默认磁化效应,该屏蔽体具有位于第一和第二铁磁层之间的过渡金属层。 |
申请公布号 |
CN102810318B |
申请公布日期 |
2017.03.01 |
申请号 |
CN201210152859.5 |
申请日期 |
2012.05.04 |
申请人 |
希捷科技有限公司 |
发明人 |
E·W·辛格尔顿;李宰荣;高凯中;D·V·季米特洛夫;宋电;V·A·维斯科 |
分类号 |
G11B5/39(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/39(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
毛力 |
主权项 |
一种磁性元件,包括磁性响应性叠层,所述叠层可以由至少一个横向侧屏蔽体屏蔽免受磁通量,所述至少一个横向侧屏蔽体包括位于第一和第二铁磁层之间的过渡金属层,其中,所述磁性响应性叠层具有位于第三和第四铁磁自由层之间的非磁性间隔层,所述第三和第四铁磁自由层被所述侧屏蔽体设置为默认磁化效应,其中,所述侧屏蔽体的每一层都与所述磁性响应性叠层的各层偏移对准以修改在所述磁性响应性叠层上施加的偏磁场强度。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |