| 主权项 |
一种用于存储器(10)中存储的待读取的逻辑数据的非破坏性读取的方法，所述存储器(10)包括第一字线(18a)、第二字线(18b)、第一位线(16a)、第二位线(17a)、第一铁电晶体管(14)和第二铁电晶体管(14)，所述第一铁电晶体管(14)具有耦合到所述第一位线的第一导电端子(20a)、耦合到所述第二位线(17a)的第二导电端子(20b)和耦合到所述第一字线的控制端子(20c)，所述第二铁电晶体管(14)具有耦合到所述第一位线的第一导电端子(20a)、耦合到所述第二位线(17a)的第二导电端子(20b)和耦合到所述第二字线(18b)的控制端子(20c)，所述第一铁电晶体管(14)和所述第二铁电晶体管(14)均包括处于能够与所述待读取的逻辑数据的高逻辑值或低逻辑值相关联的稳定极化状态的铁电材料层(26)，所述方法包括以下步骤：‑向所述第一字线(18a)施加读取电学量(V<sub>read</sub>)，由此将所述第一铁电晶体管的控制端子(20c)偏置在第一偏置值(V<sub>read</sub>)，使得不导致所述铁电材料层(26)的稳定极化状态的变化；‑向所述第二字线(18b)施加参考电学量(GND)，由此将所述第二铁电晶体管的控制端子(20c)偏置在第二偏置值(GND)，所述第二偏置值比所述第一偏置值(V<sub>read</sub>)按模更低并且使得不导致所述铁电材料层(26)的稳定极化状态的变化；‑在所述第一位线和所述第二位线(16a，17a)之间生成电势差(V<sub>sense</sub>)；‑生成输出电学量(i<sub>TOT</sub>)，所述输出电学量(i<sub>TOT</sub>)指示在所述读取电学量、所述参考电学量(GND)和电势差(V<sub>sense</sub>)的施加期间在所述第一位线和所述第二位线(16a，17a)之间流过的电流；‑将所述输出电学量(i<sub>TOT</sub>)与多个比较值相比较以生成所述比较的结果；以及‑基于所述比较的结果来确定所述待读取的逻辑数据的逻辑值，其中所述多个比较值对应于所述输出电学量(i<sub>TOT</sub>)根据所述第一铁电晶体管和所述第二铁电晶体管的极化状态的组合而能够呈现的相应值。 |
