功率控制器件及其制备方法

摘要

本发明一般涉及高端、低端MOSFET集成控制IC的功率控制器件。功率控制器件包括：一芯片安装单元和一控制芯片及第一、第二芯片，该芯片安装单元包括一基座和基座附近的第一、第二引脚及第一、第二排承载引脚，第一、第二芯片均安装在基座之上，控制芯片安装在第一、第二排承载引脚之上，并且第一芯片正面的一个主电极通过一第一金属片电性连接到第一引脚上，第二芯片正面的一个主电极通过一第二金属片电性连接到第二引脚上。

主权项

一种功率控制器件，其特征在于，包括：一芯片安装单元和一控制芯片及第一、第二芯片，该芯片安装单元包括一基座和基座附近的第一、第二引脚及第一、第二排承载引脚；基座具有相对的一组第一、第二横向边缘及相对的一组第一、第二纵向边缘，其中，第一引脚邻近第一横向边缘并且其条状键合区沿第一横向边缘长度方向延伸，第二引脚邻近第二横向边缘并且其条状键合区沿第二横向边缘长度方向延伸；第一、第二排承载引脚位于基座的第二纵向边缘的一侧，且第一排承载引脚中的每一个承载引脚皆平行于第二纵向边缘并由第一引脚的横向延长线上向第一、第二横向边缘之间的对称中心线延伸，及第二排承载引脚中的每一个承载引脚皆平行于第二纵向边缘并由第二引脚的横向延长线上向所述对称中心线延伸；第一、第二芯片均安装在基座之上，控制芯片安装在第一、第二排承载引脚之上，并且还包括一第一金属片，将第一芯片正面的一个主电极电性连接到第一引脚上，和包括一第二金属片将第二芯片正面的一个主电极电性连接到第二引脚上；第一、第二芯片各自背面的背部电极均粘附在基座的顶面；控制芯片倒装安装在第一、第二排承载引脚上，其正面的多个焊垫上设置的金属凸块分别对准并电性连接至相应的各承载引脚上。