发明名称 |
--- Copper-Indium-Gallium-Chalcogenide Nanoparticle Precursors for Thin-Film Solar Cells |
摘要 |
IUPAC 11족 이온, 13족 이온 및 황 이온을 포함하는 나노 입자는 유기 용매에 금속염 및 알칸 티올을 첨가하고, 가열하여 반응을 촉진시킴으로써 합성된다. 상기 나노 입자는 200℃ 정도의 낮은 온도에서 형성된다. 상기 나노 입자는 토폴로지(topology)를 개선하고 크기 분포를 좁히기 위해, 반응 온도보다 낮은 온도에서 일정 시간 동안 열적으로 어닐링될 수 있다(일반적으로 ~40℃ 이하). 반응이 완료된 후, 나노 입자는 나노 입자 잉크를 형성하기 위해, 비용매의 첨가에 의해 분리되고, 톨루엔, 클로로포름 및 헥산과 같은 유기 용매로 재분산될 수 있다. 최종 잉크의 점도를 조정하기 위해 첨가제가 반응 용액에 혼합될 수 있다. |
申请公布号 |
KR20170021360(A) |
申请公布日期 |
2017.02.27 |
申请号 |
KR20177004158 |
申请日期 |
2014.03.03 |
申请人 |
나노코 테크놀로지스 리미티드 |
发明人 |
해리스, 제임스;뉴먼, 크리스토퍼;마살라, 옴베르타;와일드, 로라;피켓, 나이젤 |
分类号 |
H01L31/032;B82Y30/00;C01G15/00;C09D11/037;C09D11/52;C30B7/14;C30B29/46;H01L21/02;H01L31/0749 |
主分类号 |
H01L31/032 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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