炭化珪素半導体装置およびその製造方法

摘要

高性能で、かつ、信頼性の高い炭化珪素半導体装置を提供するために、ｎ型ＳｉＣエピタキシャル基板１０４と、ｐ型ボディ層１０５と、ｐ型ボディ層電位固定領域１０９と、ｐ型ボディ層１０５内に形成された窒素導入ｎ型第１ソース領域１０６とを備えた炭化珪素半導体装置において、窒素よりも固溶限界は高いが拡散し易いリンが導入されたｎ型第２ソース領域１０７を、ｐ型ボディ層１０５とｐ型ボディ層電位固定領域１０９の両者と離間するように窒素導入ｎ型第１ソース領域１０６の内側に形成する。