| 发明名称 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供一种可以形成具有耐蚀刻性、且在具有凹部和/或凸部的表面的填埋性方面优异的抗蚀剂下层膜的新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚合物及溶剂，所述聚合物具有下述式(1)或式(2)所表示的结构单元，(式中，X表示亚芳基，n表示1或2，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数1～3的烷基或苯基。)。<img file="DDA0001171933340000011.GIF" wi="1592" he="509" /> | ||
| 申请公布号 | CN106462074A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580030552.X | 申请日期 | 2015.05.01 |
| 申请人 | 日产化学工业株式会社 | 发明人 | 西卷裕和;桥本圭祐;远藤贵文;坂本力丸 |
| 分类号 | G03F7/11(2006.01)I;C08G8/02(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 王磊;段承恩 |
| 主权项 | 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物及溶剂，所述聚合物具有下述式(1)或式(2)表示的结构单元，<img file="FDA0001171933310000011.GIF" wi="1592" he="511" />式中，X表示亚芳基，n表示1或2，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数1～3的烷基或苯基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||