| 发明名称 | 绝缘体上半导体结构以及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘体上半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成锑化物过渡层和锑化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述锑化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述缘层上半导体结构。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免利用锑化物晶片进行制备时，由于晶片尺寸过小而对绝缘体上半导体结构造成的限制。 | ||
| 申请公布号 | CN106449663A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201611059165.1 | 申请日期 | 2016.11.24 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;孙川川;梁仁荣;许军 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 李志东 |
| 主权项 | 一种制备绝缘体上半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：(1)在基底的上表面依次形成锑化物过渡层和锑化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述锑化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述绝缘体上半导体结构。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园 | ||