半导体器件及其制造方法

摘要

本发明改进了半导体器件的特性。半导体器件具有包含杂质的电位固定层和栅极电极。漏极电极和源极电极形成在栅极电极的相对侧。中间层绝缘膜形成在栅极电极和漏极电极之间及栅极电极和源极电极之间。漏极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度高于源极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度。栅极电极和漏极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度不同于栅极电极和源极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度。

主权项

一种半导体器件，具有：衬底；第一氮化物半导体层，被形成在所述衬底之上并包含p型第一杂质；栅极电极，被形成在所述第一氮化物半导体层之上；第一电极，被形成在所述第一氮化物半导体层之上，并被布置在平面图中关于所述栅极电极的第一侧上；第二电极，被形成在所述第一氮化物半导体层之上，并被布置在平面图中关于所述栅极电极的所述第一侧的相对侧上；以及第一绝缘膜，被形成在所述栅极电极和所述第一电极之间以及所述栅极电极和所述第二电极之间，其中位于所述第一电极之下的所述第一氮化物半导体层的第一部分包含用于去激活所述第一杂质的第一元素，其中位于所述第二电极之下的所述第一氮化物半导体层的第二部分包含浓度低于所述第一部分中的所述第一元素的所述浓度的第一元素，或者不包含所述第一元素，以及其中位于所述栅极电极和所述第一电极之间的所述第一绝缘膜的第三部分的膜厚度不同于位于所述栅极电极和所述第二电极之间的所述第一绝缘膜的第四部分的膜厚度。