发明名称 炭素ドープ酸化亜鉛膜及びその製造方法
摘要 スパッタリング法及びPLD法から選択される少なくともいずれか1種の成膜法により製造される、炭素が1.0×1019atoms/cm3以上の濃度でドープされた酸化亜鉛多結晶からなる膜である、炭素ドープ酸化亜鉛膜が開示される。この炭素ドープ酸化亜鉛膜は、亜鉛、酸素、及び炭素を構成元素とする複合ターゲットを用意する工程と、この複合ターゲットを用いてスパッタリング法及びPLD法の少なくともいずれか1種による成膜を行い、それにより前記炭素ドープ酸化亜鉛膜を形成する工程とを含んでなる方法により製造することができる。本発明によれば、炭素が高濃度でドープされた酸化亜鉛膜を、比較的簡便かつ安価な手法で確実に製造及び提供することができる。
申请公布号 JPWO2014157000(A1) 申请公布日期 2017.02.16
申请号 JP20150508434 申请日期 2014.03.20
申请人 国立大学法人 名古屋工業大学;日本碍子株式会社 发明人 種村 眞幸;川崎 真司;勝田 祐司;佐藤 洋介
分类号 C23C14/08;C23C14/28;C23C14/34;C30B29/62;H01L21/363 主分类号 C23C14/08
代理机构 代理人
主权项
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