一种薄膜晶体管、阵列基板、以及显示装置

摘要

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、以及显示装置，用以解决现有技术中存在的TFT的开态电流与关态电流的比值比较小的问题。本发明实施例提供的TFT，包括栅极，位于所述栅极上的有源层，以及分别位于所述有源层两侧、且与所述有源层均部分交叠的源极和漏极；所述有源层包括：至少一个第一结构部和至少一个第二结构部，所述第一结构部的材料为半导体，所述第二结构部的材料为设定导体，所述设定导体的导电性能优于导通后的所述半导体；其中，当在所述栅极上施加开启电压时，位于所述源极和所述漏极之间的导电通道包括所述第一结构部和所述第二结构部。本发明实施例增大了TFT的开态电流与关态电流的比值。

主权项

一种薄膜晶体管，包括栅极，位于所述栅极上的有源层，以及分别位于所述有源层两侧、且与所述有源层均部分交叠的源极和漏极，其特征在于，所述有源层包括：至少一个第一结构部和至少一个第二结构部，所述第一结构部的材料为半导体，所述第二结构部的材料为设定导体，所述设定导体的导电性能优于导通后的所述半导体；其中，当在所述栅极上施加开启电压时，位于所述源极和所述漏极之间的导电通道包括所述第一结构部和所述第二结构部。