| 摘要 |
【課題】歩留まりを向上できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第２金属層形成工程と、化合物形成工程と、を有する。第２金属層形成工程においては、第１面と、第１面と反対側の第２面と、を有し、第１面の上に第１金属材料を含む第１金属層が設けられた、炭化シリコンを含む半導体層に対して、第２面の上に、第１金属材料と異なる第２金属材料を含む第２金属層を形成する。化合物形成工程においては、第２金属層に対して、レーザ光を、レーザ光の照射領域の外周同士が重なり、かつ照射領域の重なり回数が実質的に３回以下となるように、第２金属層に照射することで、第２金属材料と炭化シリコンとの化合物を形成する。【選択図】図１ |
